福建宁德首个村级电动汽车充电站投运

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(d)、福建(e)、(f)、(g)和(h)是对应于(a)中相同样本区域的五个主要元素的EDS分布图。

因此,宁德期望科研人员获得SC-hBN膜的替代方案。村级充电作者合成SC-hBN薄膜的策略为其他2D材料及其异质结构在晶片上的单晶生长开辟了新的道路。

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电动这种SC-HBn膜还能够合成晶片级石墨烯/hBN质结构和单晶二硫化钨。合成SC-hBN膜的一种方法是从随机取向的三角形颗粒开始,汽车并最终将它们合并以形成多晶hBN(PC-hBN)膜。【图文导读】图1.单晶hBN膜的合成图2.SC-hBN膜的原子结构图3.SC-Gr/hBN异质结和单晶WS2膜的垂直生长图4.晶片级SC-hBNfilm膜的防铜氧化和水蒸气阻隔保护层应用【总结】总之,站投作者采用能够自调节的圆形hBN晶粒之间的自准直的方法合成了无晶界的SC-hBN膜。

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福建文献链接:Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridefilmviaself-collimatedgrainformation,(Science,2018,DOI:10.1126/science.aau2132)。硼(B)和氮(N)原子在液态金中的有限溶解度促进了高温下原子在液体表面的高度扩散,宁德从而产生圆形hBN颗粒。

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这些晶粒通过晶粒间静电相互作用所形成的B和N边的自准直进一步演化为紧密排列的密堆积晶粒,村级充电最终在晶圆尺度上形成SC-hBN薄膜。

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